Çin Bilim ve Teknoloji Üniversitesi Fizik Fakültesi'nden Profesör Fan Fengjia ve Henan Üniversitesi'nden Profesör Shen Huaibin, yeşil indiyum fosfit bazlı kuantum nokta ışık yayan diyotların temel bilimsel sorunlarını derinlemesine incelemek için EETA teknolojisini kullanmak üzere birlikte çalıştılar.
Yeşil indiyum fosfit bazlı kuantum nokta LED'leri için %26,68'lik bir tepe dış kuantum verimliliği (EQE), 270.000 cd/m2'nin üzerinde bir parlaklık ve 1.000 cd/m2'lik başlangıç parlaklığında 1.241 saatlik bir T95 (parlaklık başlangıç değerinin %95'ine düşer) ömrü elde ederek yeni bir dünya rekoru kırdılar.
Elektriksel olarak uyarılmış geçici absorpsiyon prensibi ve indiyum fosfür tabanlı kuantum nokta LED'lerinin temel bilimsel sorunları
Profesör Fan Fengjia ve araştırma ekibinin son araştırması, mevcut yeşil indiyum fosfit tabanlı kuantum nokta LED'lerinin düşük performansının temel nedeninin yetersiz elektron enjeksiyonu ve ciddi elektron sızıntısı olduğunu gösteriyor.
Bu amaçla araştırma ekibi, yalnızca elektron enjeksiyon verimliliğini artırmakla kalmayıp aynı zamanda sızıntı olgusunu da etkili bir şekilde bastıran düşük ve geniş bariyerli bir tasarım önerdi. Bu optimizasyon sayesinde araştırma ekibi yeni bir dünya rekoru kırdı.
İlgili araştırma sonuçları Nature dergisinde "Electron enjeksiyonu ve sızıntısını kontrol ederek verimli yeşil InP tabanlı QD-LED" başlığıyla yayımlandı ve toksik olmayan kuantum nokta LED teknolojisinde önemli bir ilerleme kaydedildi.
